Courtesy of InterestingEngineering

Terobosan Transistor 2D dari China: Lebih Cepat dan Hemat Energi dari Chip Silikon

11 Mar 2025, 19.34 WIB

227 dibaca

Ikhtisar 15 Detik

Transistor berbasis bismut dari Peking University menawarkan kecepatan dan efisiensi energi yang lebih baik dibandingkan chip silikon.
Inovasi ini dapat mengubah lanskap teknologi semikonduktor dan memberikan alternatif bagi Tiongkok dalam menghadapi sanksi.
Pengembangan GAAFET menunjukkan potensi besar untuk teknologi chip generasi berikutnya.

Tim peneliti dari Universitas Peking (PKU) mengklaim telah membuat terobosan dalam teknologi chip dengan mengembangkan transistor 2D yang 40% lebih cepat dan mengonsumsi 10% lebih sedikit energi dibandingkan chip silikon 3-nanometer terbaru dari Intel dan TSMC. Transistor baru ini menggunakan bahan berbasis bismut dan dirancang dengan struktur gate-all-around field-effect transistor (GAAFET), yang mengatasi batasan yang dihadapi oleh transistor berbasis silikon. Peneliti percaya bahwa inovasi ini dapat membantu China mengatasi tantangan dalam pembuatan chip berbasis silikon.

Transistor baru ini memiliki keunggulan dalam efisiensi dan kecepatan, serta mampu beroperasi dengan lebih sedikit energi. Tim PKU telah berhasil membuat unit logika kecil menggunakan transistor ini dan menunjukkan kinerja yang baik pada tegangan rendah. Penelitian ini dipublikasikan di jurnal Nature Materials dan dianggap sebagai langkah penting menuju teknologi chip generasi berikutnya.

Referensi:
[1] https://interestingengineering.com/innovation/chinas-chip-runs-40-faster-without-silicon

Analisis Ahli

Mark Liu (mantan chairman TSMC)

"Innovasi transistor 2D bisa menjadi game-changer jika mampu diintegrasikan ke dalam proses produksi besar-besaran. Namun, ekosistem manufaktur dan rantai pasokan menjadi faktor kunci keberhasilannya."

Jane Sun (Profesor Teknik Elektro MIT)

"Bahan bismut menawarkan keunggulan elektris yang menarik, tapi stabilitas jangka panjang dan kompatibilitas dengan teknologi saat ini harus diuji secara menyeluruh sebelum adopsi luas."

Analisis Kami

"Penemuan transistor 2D ini merupakan loncatan besar yang jarang muncul dalam sejarah teknologi semikonduktor, berpotensi mengatasi plateau kemajuan yang dihadapi silikon. Namun, tantangan terbesar adalah mengubah riset laboratorium menjadi produksi massal yang stabil dan ekonomis, yang masih memerlukan investasi besar dan waktu pengembangan."

Prediksi Kami

Teknologi transistor 2D berbasis bismut ini dapat memicu era baru dalam produksi chip dengan efisiensi tinggi, memacu kompetisi global dan mendorong inovasi untuk alternatif silikon, terutama di negara yang ingin mengurangi ketergantungan pada teknologi Barat.

Pertanyaan Terkait

Apa yang diklaim oleh tim peneliti di Peking University mengenai transistor baru mereka?

Tim peneliti di Peking University mengklaim bahwa transistor baru mereka 40% lebih cepat dan mengkonsumsi 10% lebih sedikit energi dibandingkan chip silikon 3-nanometer terbaru.

Apa keuntungan dari transistor berbasis bismut dibandingkan dengan chip silikon?

Transistor berbasis bismut menawarkan kecepatan yang lebih tinggi dan efisiensi energi yang lebih baik, serta mengatasi batasan yang dihadapi oleh chip silikon dalam hal miniaturisasi dan efisiensi daya.

Siapa yang memimpin tim penelitian di Peking University?

Tim penelitian dipimpin oleh profesor Peng Hailin.

Apa yang dimaksud dengan GAAFET dalam konteks penelitian ini?

GAAFET adalah singkatan dari gate-all-around field-effect transistor, yang merupakan desain baru yang menggantikan struktur FinFET yang telah menjadi standar industri.

Mengapa penelitian ini penting bagi Tiongkok dalam konteks sanksi yang diterima?

Penelitian ini penting bagi Tiongkok karena sanksi yang diterima telah membatasi akses mereka ke teknologi chip silikon paling canggih, mendorong mereka untuk mencari solusi alternatif.