Semua
Terobosan Wafer N-polar GaN 8 Inci China Turunkan Biaya Produksi 40 Persen
Courtesy of SCMP
Teknologi
Kendaraan Listrik dan Baterai

Terobosan Wafer N-polar GaN 8 Inci China Turunkan Biaya Produksi 40 Persen

30 Mar 2025, 13.00 WIB
97 dibaca
Share
Ikhtisar 15 Detik
  • Penciptaan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci dapat mengubah industri semikonduktor.
  • Teknologi GaN memiliki potensi besar dalam aplikasi seperti kendaraan listrik dan komunikasi satelit.
  • Pengurangan biaya produksi wafer dapat mempercepat adopsi teknologi GaN secara global.
Peneliti dari Tiongkok telah menciptakan wafer gallium nitride (GaN) N-polar terbesar di dunia dengan ukuran delapan inci. Penemuan ini dianggap sebagai terobosan besar dalam teknologi semikonduktor yang dapat mengurangi biaya produksi hingga 40 persen. Hal ini diharapkan dapat mempercepat penggunaan teknologi GaN di bidang komunikasi satelit dan kendaraan listrik.
Baca juga: Kontrol Ekspor Mineral China Memperkuat Keunggulan Teknologi Militer GaN
GaN merupakan semikonduktor generasi ketiga yang sangat penting karena kemampuannya dalam aplikasi berfrekuensi tinggi dan daya tinggi, seperti jaringan 5G/6G, kendaraan otonom, dan sistem radar. Material ini telah memungkinkan pengisian cepat 100W dalam ukuran kecil, mengurangi kerugian energi dalam kendaraan listrik, dan meningkatkan bandwidth komunikasi satelit.
Baca juga: Innoscience, Perusahaan China yang Menggebrak Dunia Semikonduktor GaN
Keunggulan GaN terletak pada polaritas kristalnya. Meskipun ada dua jenis GaN, yaitu N-polar dan Ga-polar, N-polar memiliki performa yang lebih baik. Sebelumnya, produksi N-polar GaN terbatas pada wafer kecil berukuran dua hingga empat inci dengan biaya tinggi. Namun, tim peneliti dari JFS Laboratory di Wuhan berhasil memproduksi wafer N-polar berukuran delapan inci, yang dapat menurunkan biaya dan meningkatkan tegangan perangkat hingga 2000V.
Referensi:
[1] https://www.scmp.com/news/china/science/article/3304056/largest-gallium-wafer-lowest-cost-how-china-leads-next-gen-semiconductor-tech?module=top_story&pgtype=subsection

Analisis Kami

"Keberhasilan menciptakan wafer N-polar GaN berukuran 8 inci merupakan titik balik besar dalam industri semikonduktor yang selama ini terkendala oleh skala produksi dan biaya. Ini menunjukkan bahwa China memiliki kapabilitas teknologi tinggi yang dapat menggeser dominasi pemain tradisional dan mendorong inovasi perangkat elektronik masa depan."

Analisis Ahli

Henry Samueli
"Pengembangan wafer GaN berukuran besar akan sangat mempengaruhi efisiensi dan performa perangkat power electronics, mempercepat adopsi teknologi ini dalam kendaraan listrik dan infrastruktur telekomunikasi."
Usha Varshney
"Kemampuan produksi wafer 8 inci menandai kematangan teknologi GaN yang selama ini terhambat oleh skala kecil, membuka peluang besar dalam pasar global yang sangat kompetitif."

Prediksi Kami

Dengan keberhasilan produksi wafer N-polar GaN berukuran besar ini, industri semikonduktor global akan mengalami percepatan adopsi teknologi GaN yang berdampak pada pengembangan perangkat berfrekuensi tinggi dan daya besar yang lebih efisien dan terjangkau.

Pertanyaan Terkait

Q
Apa yang telah dicapai oleh para ilmuwan Cina dalam teknologi semikonduktor?
A
Para ilmuwan Cina telah menciptakan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci, yang merupakan yang terbesar di dunia.
Q
Mengapa wafer GaN N-polar dianggap sebagai terobosan dalam industri semikonduktor?
A
Wafer GaN N-polar dianggap sebagai terobosan karena dapat mengurangi biaya produksi hingga 40% dan meningkatkan kinerja perangkat.
Q
Apa keuntungan dari penggunaan GaN dalam aplikasi seperti kendaraan listrik dan komunikasi satelit?
A
Keuntungan penggunaan GaN termasuk pengurangan kehilangan energi dalam platform EV dan peningkatan bandwidth komunikasi satelit.
Q
Siapa yang mengumumkan penciptaan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci?
A
Penciptaan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci diumumkan oleh tim penelitian JFS Laboratory di Wuhan.
Q
Apa dampak dari pengurangan biaya produksi wafer GaN N-polar?
A
Pengurangan biaya produksi wafer GaN N-polar diharapkan dapat mempercepat adopsi teknologi ini secara global.

Artikel Serupa

Terobosan InSe 2D: Semikonduktor Masa Depan yang Mengungguli SilikonInterestingEngineering
Sains
1 bulan lalu
66 dibaca

Terobosan InSe 2D: Semikonduktor Masa Depan yang Mengungguli Silikon

Inovasi Chip Hybrid GaN dan Silikon untuk Performa Elektronik Lebih Tinggi dan MurahInterestingEngineering
Teknologi
2 bulan lalu
183 dibaca

Inovasi Chip Hybrid GaN dan Silikon untuk Performa Elektronik Lebih Tinggi dan Murah

Terobosan Transistor 2D dari China: Lebih Cepat dan Hemat Energi dari Chip SilikonInterestingEngineering
Sains
6 bulan lalu
223 dibaca

Terobosan Transistor 2D dari China: Lebih Cepat dan Hemat Energi dari Chip Silikon

Chip Mikro Karbon dan Logika Ternary Ubah Masa Depan Komputasi AISCMP
Teknologi
6 bulan lalu
303 dibaca

Chip Mikro Karbon dan Logika Ternary Ubah Masa Depan Komputasi AI

Para Peneliti Cina Temukan Cara Kurangi Cacat di Semikonduktor GaN PentingInterestingEngineering
Sains
6 bulan lalu
183 dibaca

Para Peneliti Cina Temukan Cara Kurangi Cacat di Semikonduktor GaN Penting

China Tingkatkan Teknologi GaN, Kembangkan Chip Canggih Lebih Murah dari ASSCMP
Sains
6 bulan lalu
238 dibaca

China Tingkatkan Teknologi GaN, Kembangkan Chip Canggih Lebih Murah dari AS