Wafer gallium terbesar: bagaimana China memimpin teknologi semikonduktor generasi berikutnya.
Courtesy of SCMP

Wafer gallium terbesar: bagaimana China memimpin teknologi semikonduktor generasi berikutnya.

SCMP
Dari SCMP
30 Mar 2025, 13.00 WIB
28 dibaca
Share
Ikhtisar 15 Detik
  • Penciptaan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci dapat mengubah industri semikonduktor.
  • Teknologi GaN memiliki potensi besar dalam aplikasi seperti kendaraan listrik dan komunikasi satelit.
  • Pengurangan biaya produksi wafer dapat mempercepat adopsi teknologi GaN secara global.
Peneliti dari Tiongkok telah menciptakan wafer gallium nitride (GaN) N-polar terbesar di dunia dengan ukuran delapan inci. Penemuan ini dianggap sebagai terobosan besar dalam teknologi semikonduktor yang dapat mengurangi biaya produksi hingga 40 persen. Hal ini diharapkan dapat mempercepat penggunaan teknologi GaN di bidang komunikasi satelit dan kendaraan listrik.
GaN merupakan semikonduktor generasi ketiga yang sangat penting karena kemampuannya dalam aplikasi berfrekuensi tinggi dan daya tinggi, seperti jaringan 5G/6G, kendaraan otonom, dan sistem radar. Material ini telah memungkinkan pengisian cepat 100W dalam ukuran kecil, mengurangi kerugian energi dalam kendaraan listrik, dan meningkatkan bandwidth komunikasi satelit.
Keunggulan GaN terletak pada polaritas kristalnya. Meskipun ada dua jenis GaN, yaitu N-polar dan Ga-polar, N-polar memiliki performa yang lebih baik. Sebelumnya, produksi N-polar GaN terbatas pada wafer kecil berukuran dua hingga empat inci dengan biaya tinggi. Namun, tim peneliti dari JFS Laboratory di Wuhan berhasil memproduksi wafer N-polar berukuran delapan inci, yang dapat menurunkan biaya dan meningkatkan tegangan perangkat hingga 2000V.

Pertanyaan Terkait

Q
Apa yang telah dicapai oleh para ilmuwan Cina dalam teknologi semikonduktor?
A
Para ilmuwan Cina telah menciptakan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci, yang merupakan yang terbesar di dunia.
Q
Mengapa wafer GaN N-polar dianggap sebagai terobosan dalam industri semikonduktor?
A
Wafer GaN N-polar dianggap sebagai terobosan karena dapat mengurangi biaya produksi hingga 40% dan meningkatkan kinerja perangkat.
Q
Apa keuntungan dari penggunaan GaN dalam aplikasi seperti kendaraan listrik dan komunikasi satelit?
A
Keuntungan penggunaan GaN termasuk pengurangan kehilangan energi dalam platform EV dan peningkatan bandwidth komunikasi satelit.
Q
Siapa yang mengumumkan penciptaan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci?
A
Penciptaan wafer GaN N-polar berukuran 8 inci diumumkan oleh tim penelitian JFS Laboratory di Wuhan.
Q
Apa dampak dari pengurangan biaya produksi wafer GaN N-polar?
A
Pengurangan biaya produksi wafer GaN N-polar diharapkan dapat mempercepat adopsi teknologi ini secara global.

Artikel Serupa

Penemuan Stabilitas Wurtzite Ferroelectric Nitrides untuk Elektronik Masa DepanInterestingEngineering
Sains
1 bulan lalu
33 dibaca

Penemuan Stabilitas Wurtzite Ferroelectric Nitrides untuk Elektronik Masa Depan

Chip RISC-V 1-nanometer pertama di dunia dibuat di China dengan bahan 2D.SCMP
Sains
2 bulan lalu
28 dibaca

Chip RISC-V 1-nanometer pertama di dunia dibuat di China dengan bahan 2D.

Chip baru tanpa silikon dari China mengalahkan Intel dengan kecepatan 40% lebih tinggi dan konsumsi energi 10% lebih rendah.InterestingEngineering
Sains
3 bulan lalu
111 dibaca

Chip baru tanpa silikon dari China mengalahkan Intel dengan kecepatan 40% lebih tinggi dan konsumsi energi 10% lebih rendah.

‘Mengubah jalur’: China mengumumkan teknologi chip tercepat yang pernah ada – tanpa silikon.SCMP
Sains
3 bulan lalu
127 dibaca

‘Mengubah jalur’: China mengumumkan teknologi chip tercepat yang pernah ada – tanpa silikon.

Ilmuwan China membangun chip AI pertama di dunia yang terbuat dari karbon.SCMP
Teknologi
3 bulan lalu
137 dibaca

Ilmuwan China membangun chip AI pertama di dunia yang terbuat dari karbon.

Terobosan China dalam semikonduktor generasi ketiga dapat memajukan senjata militer.InterestingEngineering
Sains
3 bulan lalu
66 dibaca

Terobosan China dalam semikonduktor generasi ketiga dapat memajukan senjata militer.